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Aisin 與東北大學開發內嵌 MRAM 的 AI 晶片，宣稱大幅降低邊緣運算功耗
前沿 AI 模型
日本零件廠 Aisin 與東北大學合作研發內嵌磁阻式記憶體（MRAM）的新型 AI 晶片。媒體報導指出該晶片無須外接 DRAM 與 SSD，Aisin 宣稱耗電較現有同類晶片降低約 98%，並大幅縮減物件偵測延遲。此技術瞄準邊緣 AI 與車載相機辨識，但目前尚未公布量產時程與車規驗證細節。
日本汽車零組件供應商 Aisin 攜手東北大學開發出內嵌 MRAM 的新型邊緣 AI 晶片。根據 Nikkei Asia 與日本經濟新聞報導，該架構透過 MRAM 的非揮發性與高速讀寫特性，取代傳統系統單晶片所需的 DRAM 與 SSD 配置。Aisin 宣稱此架構能將功耗降至既有同類晶片的五十分之一（減少約 98%），並將物件偵測等 AI 處理延遲縮短至十分之一。此研發延續了 2025 年 7 月 NEDO 聯合發布的 16 奈米實證成果，但報導並未明載兩次成果是否為同一硬體版本。晶片目前尚無明確的量產規劃、成本與車用可靠度驗證數據，商用化仍處於早期階段。
值得帶走的重點
- Aisin 與東北大學合作推出內嵌 MRAM 的 AI 晶片架構，移除外接 DRAM 與 SSD 以改善能效與延遲。
- 報導引述 Aisin 宣稱，新晶片耗電降為原本的五十分之一（少約 98%），物體偵測處理時間縮短為十分之一。
- 此研究延續 2025 年 NEDO 合作的 16 奈米實證基礎，但報導未載明本次宣傳是否包含新測試條件或晶片修訂。
- 目前尚未公開量產時程、車規耐候驗證數據或具體客戶資訊，商用落地仍待觀察。
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